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金剛石功能化應用領域介紹

時間:2024-12-16 18:11:29 點擊:1305 次 來源:本站

  金剛石具有優良的電學性能:超寬的帶隙,超高的擊穿場強,高(gāo)電子和空穴遷移率,有望(wàng)成為“**半導(dǎo)體”;在聲學上,金剛(gāng)石在所有材料中具有*高的表麵聲波速度和極高的楊氏模量;在光學上,金剛(gāng)石可(kě)透過從遠紅(hóng)外到紫外小於帶隙能量的光子;在熱學上,其導熱性超過銅,因此金剛石具有跨領(lǐng)域應用的潛力。表1顯示了金剛石材(cái)料的性能與其對應的應用領(lǐng)域。

表1. 金剛石材(cái)料的性能

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功能金剛石的合成

 

    相對於傳(chuán)統金剛石高溫高壓(HPHT)合成方法,功能金剛石主要采用(常壓(yā))化學氣相沉積(CVD)的方法。CVD金剛石分為CVD薄膜(常規金剛石(shí)膜、納(nà)米金剛石膜,厚度小於50μm)和自支撐型厚膜(單(dān)晶金剛石和多晶金剛石)。按合(hé)成技術分為微波輔助型(MPCVD)、熱絲型(xíng)和直流型。MPCVD技術是目前主流的合成高質量金(jīn)剛石的方法。不同CVD技術的(de)比較見表2所示。

 

表2. CVD合成金剛石(shí)的(de)主要(yào)方法及特點

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功能(néng)金剛石的應用

    1 寶石級的人造金剛石

    高溫高壓(HTHP)方法是製造(zào)培(péi)育鑽石(shí)的主(zhǔ)要方(fāng)法。化學氣相沉積(CVD)製造培育鑽石方法(fǎ),近三年突飛猛進,成本大幅減低(dī),工藝穩(wěn)定性取(qǔ)得明顯(xiǎn)進展,已量產並(bìng)工業批量投放市(shì)場。

    2 金剛石半導體

    金剛(gāng)石被認為是製備下一代高功率、高頻、高溫及低功率損耗電子(zǐ)器件*有希望的材料,被業界譽為“**半導體”。金剛石為間接帶隙半(bàn)導(dǎo)體(tǐ)材料,禁帶寬(kuān)度約為5.5eV,熱導率高達22W/(cm·K)。室(shì)溫(wēn)電(diàn)子和空穴遷移率高達4500cm²/(v·S)和3800cm²/(v·S),遠高於第(dì)三代半(bàn)導體材料GaN和SiC。另外,由於金剛(gāng)石具有很大的激子束縛能(約(yuē)80meV),使其在室溫下可實現高強度的自由激子發(fā)射(發光波長約為235nm),在製備大功率深紫外發光二極管方麵具有很大的潛力,在極紫外深紫外和高能粒子探測器的研製中也發揮著重要作用(yòng)。另外,對於(yú)單(dān)晶金剛石襯底材料的生長,還(hái)要有(yǒu)高的生長速率以及大的晶體尺寸,同時要實現金剛石的半導(dǎo)體功能需要對其進行有效的摻雜,使其具備良好的n型或p型導電性質。

    可以展望,隨著金剛石半導體技術的不斷發展,未來必將(jiāng)突破(pò)n型摻雜技術、大尺寸高(gāo)質量單晶製備及高(gāo)平(píng)整度、高均勻性材料外延技(jì)術等瓶(píng)頸問題,實現更高功率性能的金剛石電子器件,從(cóng)而為消費者創造更快、更輕、更簡單的(de)設備。金剛石半導體器件比矽芯(xīn)片更便宜、更薄,基於金剛石(shí)的電子產品很可能(néng)成為高能效電子產品的行業標準,其將對一些高新行(háng)業和****產品產生(shēng)顯著影響,包括(kuò)更快的超級計算機、先進的雷達和電信係統、超高效混合動力(lì)汽車、極端(duān)環境中的電(diàn)子設備以及下一代航空航天電子設備等。

    3 金剛(gāng)石的熱學應用

    金剛石具有(yǒu)目前所知的天然物質中(zhōng)*高的熱導率(2200W/(m·K)),比(bǐ)碳化矽(SiC)大4倍,比矽(Si)大(dà)13倍,比砷化稼(GaAs)大43倍,是銅和銀的4~5倍,低的熱膨脹係數(0.8×10^-6~1.5×10^-6K^-1)和高的彈性模量等優良性能。是一種具有良好(hǎo)前景的優異的電子(zǐ)封裝材料(liào)。典型的應用有金(jīn)剛石(shí)增(zēng)強金屬封裝材料(Dianmond/Cu、Diamond/Al)和熱沉-金剛石襯底GaN器件等(děng)。金剛石增強金屬基封裝材料已經商用,其熱導率已可達到 350~ 600W / (m·K),隨著人造(zào)金剛石(shí)價格大(dà)幅降低,單位體積(jī)金剛石顆粒的價格已接近甚至低於W、Mo等(děng)難熔金(jīn)屬的價格,為大規模(mó)生產創造了必備(bèi)的條件。

    極高的導熱係數與(yǔ)電絕(jué)緣相結合,使得金剛石成為許多(duō)高(gāo)功率密度設備的**散熱器。激光二極管結處散熱(rè)就是CVD金(jīn)剛(gāng)石的*早應用之一。*近,在晶圓數量級上,CVD金剛石(shí)與GaN的集(jí)成已經成為(wéi)可(kě)能,這種集成允(yǔn)許在無線電頻(pín)率下實現更高的功率密度。

    4 光學應用

    理想的電力傳輸窗(chuāng)口將具有:

    (a)非常低的總吸收(窗(chuāng)口和塗層(céng)的吸收係數×窗口厚度。

    (b)低熱膨脹係數(幾何(hé)形狀隨溫度的變化較小)。

    (c)高導熱率(將熱量(liàng)從加熱物體中散開的能力)。

    (d)高強度和楊氏模(mó)量(允許使(shǐ)用更薄的窗口)。

    (e)折射率隨溫度變化(huà)小。

    金(jīn)剛石幾乎全部滿足上述要求,多(duō)晶(jīng)金剛石在光學窗口方麵有許多應用場景,部分已產業化。

    除了光學窗口外,多晶金剛石還具有裝飾作用(yòng),金剛石的塗層不僅具(jù)有閃光(guāng)效果還(hái)有多(duō)種顏色。用於高端鍾(zhōng)表的(de)製造,奢侈品(pǐn)的裝飾性塗層以及直接作為時尚製品。金剛石(shí)其強度和硬度(dù)是康寧(níng)玻璃(lí)的6倍和(hé)10倍,因此也被應用於手機顯(xiǎn)示(shì)屏和照相機鏡頭。

 

    5 金剛石聲學(xué)器件

    金剛石密度低,楊氏模量(liàng)和強度高,這使得它成為一(yī)種高性能的高頻聲材料。

    金剛石,可(kě)以在高達70kHz的頻率下保持完美的振動(dòng)運動而不失真,從而提供幾乎(hū)完美的聲音再現。此外金(jīn)剛石還具有*高(gāo)的聲表麵波速,是用於(yú)聲表麵波濾波器的**材料,能夠提高濾波頻(pín)率和(hé)功率承受能力。

    6 摻硼(péng)金剛(gāng)石(BDD)電(diàn)極

    研究表明BDD是一種環保新型電極材料,作為陽極的電化學法對染料(liào)、農藥、抗生素、內分泌(mì)幹擾物等多種難降解的有機汙染物、大分子物質等都(dōu)表現出了很好的去除(chú)效果(guǒ),幾乎都可實現完全礦化(huà),是一種環境友好型的汙染治理方法,因而得到了(le)越來越多的關注。

    采用摻硼金(jīn)剛石(shí)(BDD)作為(wéi)電極的電化學氧(yǎng)化(huà)法,利用在水中產生具有(yǒu)強氧化性能的羥基自由基(·OH),能快速高效地降解汙水中的有機物,這類電(diàn)極具有*寬的電化學窗口、極高的(de)析氧電(diàn)位、極好的化學穩定性,可在(zài)強酸、強堿、高鹽環境中長(zhǎng)時間(jiān)連續運行,有(yǒu)望成為*具潛力有機廢(fèi)水處理技術。

    7 金剛(gāng)石量子技術的應用

    金剛石量子技(jì)術為21世紀的兩個關鍵(jiàn)問題提(tí)供(gòng)了潛在的解決方案:生(shēng)物醫學和(hé)持續增長的信息經濟。金剛石有能力將缺陷變成量(liàng)子資源,這種缺陷是特定的(de),即氮空位(wèi)缺陷(NV),其獨特的性質(zhì)使其(qí)量子態可以在室溫下使用光來操縱和讀出。在基於量子(zǐ)的應用中,人造金剛石充當雜(zá)質或缺陷的(de)主體,像固態原子陷阱一樣(yàng)起作用(yòng)。這些雜質(zhì)的量子特性,例如氮空位缺陷,可以單獨操作並(bìng)使其相互作用,並且從這些雜質發出的(de)光的光(guāng)子可以(yǐ)用於讀出它們的量子信息(xī)。

    由(yóu)於金剛(gāng)石具有廣闊的應用前景、化學惰性、機械硬度、表麵改性能力、可調(diào)導電性和生物相容性等優點(diǎn),金剛石(shí)作為(wéi)醫療器械與(yǔ)人(rén)體之間的界麵被廣泛研究。金剛石塗層已(yǐ)被考慮用於各種(zhǒng)醫療設備的應用,包括保護塗層、生物(wù)界麵和生物傳感器(qì)。大尺寸的單晶/多晶金剛石可以製成鋒利的刀片。納米(mǐ)金剛石根據其特性可以用作運輸藥物和具有標記特性的靶向材料。

    8 納米金剛石潤滑油

    納米金剛石具有較大的表(biǎo)麵積,且表麵有著(zhe)豐(fēng)富的官能團,這些特性使其表麵具有特殊的吸附(fù)性,易於發生化(huà)學反應,故經過處理的球形納米金剛石在(zài)潤滑油中有(yǒu)著良好的(de)分散性。近年來(lái),大量的實驗(yàn)表明,在潤滑油中加入千分之一的(de)球形納米(mǐ)金剛石就能有效地提高潤滑油的抗磨減震(zhèn)效(xiào)果,而且可以廣泛應用(yòng)於各種機(jī)械結構中。


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